• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
BCX52TA TRANS PNP 60V 1A SOT89-3 Diodes Incorporated TO-243AA 1A 60V 1W Surface Mount PNP -65°C ~ 150°C (TJ) SOT-89-3 500mV @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 40 @ 150mA, 2V 150MHz
ZXTP2012A TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3 Diodes Incorporated
BC848A TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Fairchild Semiconductor TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100mA 30V 200mW Surface Mount NPN -65°C ~ 150°C (TJ) SOT-23 500mV @ 5mA, 100mA 100nA (ICBO) 110 @ 2mA, 5V 100MHz SOT-23
KSC5305DFTTU-FS POWER BIPOLAR TRANSISTOR Fairchild Semiconductor TO-220-3 Full Pack 5A 400V 75W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-220F-3 500mV @ 400mA, 2A 10µA (ICBO) 22 @ 800mA, 1V
BC849CWH6327XTSA1 TRANS NPN 30V 0.1A SOT323 Infineon Technologies SC-70, SOT-323 100mA 30V 250mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-SOT323 600mV @ 5mA, 100mA 15nA (ICBO) 420 @ 2mA, 5V 250MHz
JAN2N5662 TRANS NPN 200V 2A TO5 Microchip Technology TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 2A 200V 1W Through Hole NPN -65°C ~ 200°C (TJ) TO-5 800mV @ 400mA, 2A 200nA 40 @ 500mA, 5V Military, MIL-PRF-19500/454
JANKCA2N2919 TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Microchip Technology TO-78-6 Metal Can 50mA 60V 350mW Through Hole 2 PNP (Dual) -65°C ~ 200°C (TJ) TO-78-6 300mV @ 100µA, 1mA 10µA (ICBO) 150 @ 1mA, 5V Military, MIL-PRF-19500/355
2SD882-R-BP TRANS NPN 30V 3A TO126 Micro Commercial Co TO-225AA, TO-126-3 3A 30V 1.25W Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-126 500mV @ 200mA, 2A 1µA 60 @ 1A, 2V 50MHz
PMBT4401,215 TRANS NPN 40V 0.6A TO236AB Nexperia USA Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 600mA 40V 250mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) TO-236AB 750mV @ 50mA, 500mA 50nA (ICBO) 100 @ 150mA, 1V 250MHz
TIS97_D74Z TRANS NPN 40V 0.5A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 500mA 40V 625mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 10nA (ICBO) 250 @ 100µA, 5V
NSS60100DMTTBG TRANS 2PNP 60V 1A onsemi 6-WDFN Exposed Pad 1A 60V 2.27W Surface Mount 2 PNP (Dual) -55°C ~ 150°C (TJ) 6-WDFN (2x2) 300mV @ 100mA, 1A 100nA (ICBO) 120 @ 500mA, 2V 155MHz
2N5961_D27Z TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 100mA 60V 625mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 200mV @ 500µA, 10mA 2nA (ICBO) 150 @ 10mA, 5V
XP0650100L TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6 Panasonic Electronic Components 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 100mA 50V 150mW Surface Mount 2 NPN (Dual) 150°C (TJ) SMINI6-G1 300mV @ 10mA, 100mA 100µA 160 @ 2mA, 10V 150MHz
HFA3128B96 HIGH FREQUENCY TRANSISTOR ARRAY Rochester Electronics, LLC
BC847BU3HZGT106 TRANS NPN 45V 0.1A UMT3 Rohm Semiconductor SC-70, SOT-323 100mA 45V 200mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) UMT3 600mV @ 5mA, 100mA 15nA (ICBO) 200 @ 2mA, 5V 200MHz Automotive, AEC-Q101
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.