- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DXTN3C100PD-13 | PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50 | Diodes Incorporated | 8-PowerTDFN | 3A | 100V | 1.47W | Surface Mount | 2 NPN (Dual) | -55°C ~ 150°C (TJ) | PowerDI5060-8 (Type UXD) | 330mV @ 300mA, 3A | 100nA | 150 @ 500mA, 10V | 130MHz |
| DXTC3C100PD-13 | SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506 | Diodes Incorporated | 8-PowerTDFN | 3A | 100V | 1.47W | Surface Mount | NPN, PNP | -55°C ~ 150°C (TJ) | PowerDI5060-8 (Type UXD) | 330mV @ 300mA, 3A, 325mV @ 200mA, 2A | 100nA | 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V | 130MHz, 100MHz |
| ULN2803APG,CN | TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP | Toshiba Semiconductor and Storage | 18-DIP (0.300", 7.62mm) | 500mA | 50V | 1.47W | Through Hole | 8 NPN Darlington | -40°C ~ 85°C (TA) | 18-DIP | 1.6V @ 500µA, 350mA | 1000 @ 350mA, 2V | ||
| ULN2004APG,C,N | IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP | Toshiba Semiconductor and Storage | 16-DIP (0.300", 7.62mm) | 500mA | 50V | 1.47W | Through Hole | 7 NPN Darlington | -40°C ~ 85°C (TA) | 16-DIP | 1.6V @ 500µA, 350mA | 50µA | 1000 @ 350mA, 2V |
- 10
- 15
- 50
- 100