- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerTDFN
- Тип корпуса: PowerDI5060-8 (Type UXD)
- Мощность - Макс.: 1.47W
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 130MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-DIP
- Мощность - Макс.: 1.47W
- Тип транзистора: 7 NPN Darlington
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 350mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
- Обратный ток коллектора: 50µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 18-DIP
- Мощность - Макс.: 1.47W
- Тип транзистора: 8 NPN Darlington
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 350mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerTDFN
- Тип корпуса: PowerDI5060-8 (Type UXD)
- Мощность - Макс.: 1.47W
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A, 325mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 130MHz, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100