Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 1.1W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 345 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 515mV @ 600mA, 6A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 350mA, 3.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 90MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 250 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 450mV @ 600mA, 6A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panjit International Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 16 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 105MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 250 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 450mV @ 600mA, 6A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 175 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 450mV @ 600mA, 6A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 110MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 20V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: PW-MOLD2
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 285V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: PW-MOLD2
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 375V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100