• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: TO-236AB
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 3.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
• Усиление по току (hFE): 140 @ 2A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 400mA, 4A
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 155MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6
• Тип корпуса: SOT-26
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 3A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 3A
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 115MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6
• Тип корпуса: SOT-23-6
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 4.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
• Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 230mV @ 45mA, 4.5A
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 96MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6
• Тип корпуса: SOT-26
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: NPN, PNP
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 180 @ 100mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA
• Обратный ток коллектора: 20nA

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6
• Тип корпуса: SOT-23-6
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 2A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 180 @ 1A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 190MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 2A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 300 @ 500mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
• Обратный ток коллектора: 50nA
• Граничная частота: 198MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6
• Тип корпуса: SOT-23-6
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 3A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
• Усиление по току (hFE): 300 @ 100mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 3A
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 110MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6
• Тип корпуса: SOT-26
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 10nA
• Граничная частота: 215MHz

• Производитель: Sanyo
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип корпуса: 6-CPH
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 420MHz

• Производитель: NXP Semiconductors
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 50mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 20V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
• Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
• Граничная частота: 60MHz

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-74, SOT-457
• Тип корпуса: 6-TSOP
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 4A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
• Усиление по току (hFE): 250 @ 2A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 100MHz