- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 155 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 540mV @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 110MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 13 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 250mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 20V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 9 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 465V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 300mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 20V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 72MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 3.5A, 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 190MHz, 270MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 145 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 395mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 110MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 3A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 120MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 110MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: TO-236AB
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4.3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 165MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 50nA
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100