Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 1.04W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 10
  • ZXT12P12DXTC
    TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP
    • Мощность - Макс.: 1.04W
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 85MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXT12P12DXTA
    TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP
    • Мощность - Макс.: 1.04W
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 85MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXT12P40DXTC
    TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP
    • Мощность - Макс.: 1.04W
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 2A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 130MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXT12P20DXTA
    TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP
    • Мощность - Макс.: 1.04W
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 2.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 110MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXT12N20DXTA
    TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP
    • Мощность - Макс.: 1.04W
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 3.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 112MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXT12P40DXTA
    TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP
    • Мощность - Макс.: 1.04W
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 2A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 130MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXT12N20DXTC
    TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP
    • Мощность - Макс.: 1.04W
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 3.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 112MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXT12N50DXTC
    TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP
    • Мощность - Макс.: 1.04W
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 132MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXT12P20DXTC
    TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP
    • Мощность - Макс.: 1.04W
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 2.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 110MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXT12N50DXTA
    TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP
    • Мощность - Макс.: 1.04W
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 132MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100