- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Мощность - Макс.: 1.04W
- Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 85MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Мощность - Макс.: 1.04W
- Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 85MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Мощность - Макс.: 1.04W
- Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 130MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Мощность - Макс.: 1.04W
- Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 110MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Мощность - Макс.: 1.04W
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 3.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 112MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Мощность - Макс.: 1.04W
- Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 130MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Мощность - Макс.: 1.04W
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 3.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 112MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Мощность - Макс.: 1.04W
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 132MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Мощность - Макс.: 1.04W
- Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 110MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Мощность - Макс.: 1.04W
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 132MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100