Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 130W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 500 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3PN
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3, TO-218AC
- Тип корпуса: TO-218-3
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 6A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 500 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P(N)
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 6A, 3V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 500 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P(N)
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 35MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 6A, 3V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100