Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 1.13W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • ZXTC6717MCQTA
    SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020-
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: W-DFN3020-8
    • Мощность - Макс.: 1.13W
    • Тип транзистора: NPN, PNP Complementary
    • Ток коллектора (макс): 4.5A, 4A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V, 12V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 200mA, 2V, 300 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 120MHz, 110MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100