Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) P_max 100W

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 23 @ 800mA, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A
• Обратный ток коллектора: 100µA

• Производитель: Sanken
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3P
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 7A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.4A, 7A
• Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
• Граничная частота: 10MHz

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
• Обратный ток коллектора: 50µA
• Граничная частота: 12MHz

• Производитель: onsemi
• Серия: SWITCHMODE™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 6A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
• Обратный ток коллектора: 100µA
• Граничная частота: 14MHz

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: SOT-93
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 4A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Усиление по току (hFE): 60 @ 500mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
• Обратный ток коллектора: 50µA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 600mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
• Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
• Граничная частота: 14MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 4A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/624
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• Тип корпуса: TO-254AA
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: SOT-93
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 4A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 550V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
• Обратный ток коллектора: 50µA
• Граничная частота: 12MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/623
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• Тип корпуса: TO-254
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/624
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• Тип корпуса: TO-254AA
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3P
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 3A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
• Граничная частота: 30MHz