- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 600mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 14MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: SWITCHMODE™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 14MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 18 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 2.4A, 12A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 4A, 8A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 500µA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 50µA
- Граничная частота: 12MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P(N)
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 2.5A, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.3V @ 2.5A, 8A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 10MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 550V
- Усиление по току (hFE): 9 @ 2A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 550V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100