Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 110W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 110W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
- Усиление по току (hFE): 18 @ 700mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.33A, 4A
- Обратный ток коллектора: 250µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 110W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 14 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 860mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 110W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 700mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 1.33A, 4A
- Обратный ток коллектора: 250µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 110W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.4A, 12A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 110W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: ESBC™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
- Мощность - Макс.: 110W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 400mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 330mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100