Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 10W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220NIS
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220NIS
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: I-PAK
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 75V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 500mA, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 75V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 500mA, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 1A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 230MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100