Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 1.31W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • ULN2803AFWG,C,EL
    TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
    • Тип корпуса: 18-SOP
    • Мощность - Макс.: 1.31W
    • Тип транзистора: 8 NPN Darlington
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 350mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100