Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 118 W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Motorola
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 118 W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 3A, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: General Semiconductor
- Вид монтажа: Stud Mount
- Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
- Тип корпуса: TO-63
- Мощность - Макс.: 118 W
- Ток коллектора (макс): 30A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 20A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 1A, 10A
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100