• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
ZXT13P20DE6TC TRANS PNP 20V 4A SOT26 Diodes Incorporated SOT-23-6 4A 20V 1.1W Surface Mount PNP -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-26 250mV @ 350mA, 3.5A 100nA 300 @ 1A, 2V 90MHz
BCP5510TA TRANS NPN 60V 1A SOT223 Diodes Incorporated
MMBTA06-AQ TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Diotec Semiconductor TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500mA 80V 250mW Surface Mount NPN -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 (TO-236) 250mV @ 10mA, 100mA 100nA (ICBO) 100 @ 100mA, 1V 100MHz
JANTXV2N918UB TRANS NPN 15V 0.05A UB Microchip Technology 3-SMD, No Lead 50mA 15V 200mW Surface Mount NPN -65°C ~ 200°C (TJ) UB 400mV @ 1mA, 10mA 1µA (ICBO) 20 @ 3mA, 1V Military, MIL-PRF-19500/301
JANSR2N5153U3/TR RH POWER BJT Microchip Technology
2N3636L TRANS PNP 175V 1A Microsemi Corporation TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 1A 175V 1W Through Hole PNP -65°C ~ 200°C (TJ) TO-5 600mV @ 5mA, 50mA 10µA 50 @ 50mA, 10V
MJW18020G TRANS NPN 450V 30A TO247-3 onsemi TO-247-3 30A 450V 250W Through Hole NPN -65°C ~ 150°C (TJ) TO-247-3 1.5V @ 4A, 20A 100µA 14 @ 3A, 5V 13MHz
NST3946DP6T5G TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963 onsemi SOT-963 200mA 40V 350mW Surface Mount NPN, PNP -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-963 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 200MHz, 250MHz
TE02561 BIP T0220 NPN SPECIAL LF onsemi
BDW93 TRANS NPN DARL 45V 12A TO220-3 onsemi TO-220-3 12A 45V 80W Through Hole NPN - Darlington 150°C (TJ) TO-220-3 3V @ 100mA, 10A 1mA 750 @ 5A, 3V
DSC9001S0L TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI3 Panasonic Electronic Components SC-89, SOT-490 100mA 50V 125mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SSMini3-F3-B 300mV @ 10mA, 100mA 100µA 290 @ 2mA, 10V 150MHz
2SC3568(2)-S6-AZ POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Renesas Electronics America Inc
BC636-16ZL1 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
ST13003-K TRANS NPN 400V 1.5A SOT32-3 STMicroelectronics TO-225AA, TO-126-3 1.5A 400V 40W Through Hole NPN -40°C ~ 150°C (TJ) SOT-32-3 1.5V @ 500mA, 1.5A 1mA 5 @ 1A, 2V
2N2222AUATXV TRANS NPN 50V 0.8A 4CLCC TT Electronics/Optek Technology 4-CLCC 800mA 50V 500mW Surface Mount NPN -65°C ~ 200°C (TJ) 4-CLCC (5.59x3.81) 300mV @ 15mA, 150mA 10nA (ICBO) 75 @ 1mA, 10V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.