• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
BC857BB5000 TRANS PNP 45V 0.1A SOT23 Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100mA 45V 330mW Surface Mount PNP 150°C (TJ) PG-SOT23 650mV @ 5mA, 100mA 15nA (ICBO) 220 @ 2mA, 5V 250MHz
2N5067 POWER BJT Microchip Technology
MSR2N2222AUB RH SMALL-SIGNAL BJT Microchip Technology
2N2905AP SMALL-SIGNAL BJT Microchip Technology
PDTA114EU/ZL135 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Nexperia USA Inc.
PMN40UPEA115 NEXPERIA PMN40UPEA - SMALL SIGNA Nexperia USA Inc.
MPSH34_D75Z TRANS NPN 40V 0.05A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 50mA 40V 625mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 500mV @ 2mA, 7mA 50nA (ICBO) 15 @ 20mA, 2V 500MHz
SPS9558RLRA NPN TRANSISTOR, TO92 onsemi
2SC4211-6-TL-E TRANS NPN 50V 0.15A MCP onsemi SC-70, SOT-323 Surface Mount MCP
2N4125_S00Z TRANS PNP 30V 0.2A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 200mA 30V 625mW Through Hole PNP -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 400mV @ 5mA, 50mA 50nA (ICBO) 50 @ 2mA, 1V
BC639_D74Z TRANS NPN 80V 1A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 1A 80V 1W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-92-3 500mV @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 40 @ 150mA, 2V 100MHz
2N4401RLRAG TRANS NPN 40V 0.6A TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 600mA 40V 625mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92 (TO-226) 750mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
DSA940200L TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3 Panasonic Electronic Components SC-89, SOT-490 500mA 12V 125mW Surface Mount PNP 150°C (TJ) SSMini3-F3-B 250mV @ 10mA, 200mA 100nA (ICBO) 270 @ 10mA, 2V 300MHz
BC847CDW1T1 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363 Rochester Electronics, LLC
BC848CW RFG TRANS NPN 30V 0.1A SOT323 Taiwan Semiconductor Corporation SC-70, SOT-323 100mA 30V 200mW Surface Mount NPN -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-323 600mV @ 5mA, 100mA 100nA (ICBO) 420 @ 2mA, 5V 100MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.