- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FCX705TA | TRANS PNP DARL 120V 1A SOT89-3 | Diodes Incorporated | TO-243AA | 1A | 120V | 1W | Surface Mount | PNP - Darlington | -55°C ~ 150°C (TJ) | SOT-89-3 | 2.5V @ 2mA, 2A | 10µA | 3000 @ 1A, 5V | 160MHz | |
| ZTX953STZ | TRANS PNP 100V 3.5A E-LINE | Diodes Incorporated | E-Line-3, Formed Leads | 3.5A | 100V | 1.2W | Through Hole | PNP | -55°C ~ 200°C (TJ) | E-Line (TO-92 compatible) | 330mV @ 400mA, 4A | 50nA (ICBO) | 100 @ 1A, 1V | 125MHz | |
| JANTXV2N3506U4 | TRANS NPN 40V 1UA U4 | Microchip Technology | 3-SMD, No Lead | 1 µA | 40V | 1W | Surface Mount | NPN | -65°C ~ 200°C (TJ) | U4 | 1.5V @ 250mA, 2.5A | 1µA | 50 @ 500mA, 1V | Military, MIL-PRF-19500/349 | |
| 2N1479 | TRANS NPN 40V 1.5A TO5 | Microchip Technology | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | 1.5A | 40V | 1W | Through Hole | NPN | -65°C ~ 200°C (TJ) | TO-5 | 750mV @ 20mA, 200mA | 5µA (ICBO) | 20 @ 200mA, 4V | ||
| 2N4854U/TR | TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT | Microchip Technology | 6-SMD, No Lead | Surface Mount | NPN, PNP | -65°C ~ 200°C (TJ) | 6-SMD | 400mV @ 15mA, 150mA | 10µA (ICBO) | 100 @ 150mA, 10V | Military, MIL-PRF-19500/421 | ||||
| JANTXV2N3442 | TRANS NPN 140V 10A TO3 | Microchip Technology | TO-204AA, TO-3 | 10A | 140V | 6W | Through Hole | NPN | -55°C ~ 200°C (TJ) | TO-3 (TO-204AA) | 1V @ 300mA, 3A | 20 @ 3A, 4V | Military, MIL-PRF-19500/370 | ||
| BCP69-25-TP | TRANS PNP 20V 1A SOT223 | Micro Commercial Co | TO-261-4, TO-261AA | 1A | 20V | 1W | Surface Mount | PNP | 150°C (TJ) | SOT-223 | 500mV @ 100mA, 1A | 100nA (ICBO) | 140 @ 10mA, 1.8V | 40MHz | |
| PEMD2,315 | NEXPERIA PEMD2 - SMALL SIGNAL BI | Nexperia USA Inc. | |||||||||||||
| PBSS8110AS,126 | TRANS NPN 100V 1A TO92-3 | NXP USA Inc. | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 1A | 100V | 830mW | Through Hole | NPN | 150°C (TJ) | TO-92-3 | 200mV @ 100mA, 1A | 100nA | 150 @ 250mA, 10V | 100MHz | |
| BC184_J35Z | TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 | onsemi | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 100mA | 30V | 350mW | Through Hole | NPN | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-92-3 | 600mV @ 5mA, 100mA | 15nA (ICBO) | 130 @ 100mA, 5V | 150MHz | |
| 2SC3330T-AC | BIP NPN 0.2A 50V | onsemi | |||||||||||||
| MPSA77RLRA | TRANS PNP DARL 60V 0.5A TO92 | onsemi | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | 500mA | 60V | 625mW | Through Hole | PNP - Darlington | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-92 (TO-226) | 1.5V @ 100µA, 100mA | 500nA | 10000 @ 100mA, 5V | ||
| 2SD2620J0L | TRANS NPN 100V 0.02A SSMINI3 | Panasonic Electronic Components | SC-89, SOT-490 | 20mA | 100V | 125mW | Surface Mount | NPN | 125°C (TJ) | SSMini3-F1 | 200mV @ 1mA, 10mA | 1µA | 400 @ 2mA, 10V | 200MHz | |
| 2SD1692-AZ | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | Rochester Electronics, LLC | |||||||||||||
| PN2222AG | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Rochester Electronics, LLC | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 600mA | 40V | 625mW | Through Hole | NPN | -55°C ~ 150°C (TJ) | TO-92-3 | 1V @ 50mA, 500mA | 10nA (ICBO) | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100
Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.
Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.
Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.
Справочная информация по основным параметрам:
Power - Max (Мощность - Макс.) —
Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) —
ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) —
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) —
Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) —
Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) —
Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) —
V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) —
h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.