• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
  • JANTXV2N3019S
    TRANS NPN 80V 1A
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/391
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 10nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCP54-16,115
    TRANS NPN 45V 1A SOT223
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Мощность - Макс.: 960mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 180MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC13830S
    TRANS NPN 25V 1A TO92L-A1
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
    • Тип корпуса: TO-92L-A1
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
    • Усиление по току (hFE): 170 @ 500mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PDTD113ZU135
    PDTD113ZU - 0.5A, 50V, NPN
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N3506AU4
    TRANS NPN 40V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NSBA124EDXV6T5
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PN3569_D26Z
    TRANS NPN 40V 0.5A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANSR2N4449
    RH SMALL-SIGNAL BJT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N6292G
    TRANS NPN 70V 7A TO220
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 40W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 7A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 2A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3791
    TO-3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CPH3205-TL-E
    TRANS NPN 50V 3A CPH3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KST5087MTF-FS
    TRANS PNP 50V 0.05A SOT23
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 250 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 40MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N2604UB/TR
    TRANS PNP 60V 0.03A UB
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/354
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: UB
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 500µA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 10nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BC 847B B5003
    TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: PG-SOT23
    • Мощность - Макс.: 330mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJV92MTF
    TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
    • Обратный ток коллектора: 250nA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.