• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
BC859B TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Fairchild Semiconductor TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100mA 30V 250mW Surface Mount PNP -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 (TO-236) 650mV @ 5mA, 100mA 15nA (ICBO) 220 @ 2mA, 5V 100MHz
2N918UB TRANS NPN 15V 0.05A UB Microchip Technology 3-SMD, No Lead 50mA 15V 200mW Surface Mount NPN -65°C ~ 200°C (TJ) UB 400mV @ 1mA, 10mA 1µA (ICBO) 20 @ 3mA, 1V
JAN2N2432A TRANS NPN 45V 0.1A Microsemi Corporation TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 100mA 45V 360mW Through Hole NPN -65°C ~ 175°C (TJ) TO-18 (TO-206AA) 150mV @ 500µA, 10mA 10nA 80 @ 1mA, 5V Military, MIL-PRF-19500/313
PBSS4240ZF TRANS NPN 40V 2A SOT223 Nexperia USA Inc. TO-261-4, TO-261AA 2A 40V 650mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-223 550mV @ 200mA, 2A 100nA 300 @ 1mA, 5V 150MHz
BC32725_J35Z TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 800mA 45V 625mW Through Hole PNP 150°C (TJ) TO-92-3 700mV @ 50mA, 500mA 100nA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
MJE270G TRANS NPN DARL 100V 2A TO126 onsemi TO-225AA, TO-126-3 2A 100V 1.5W Through Hole NPN - Darlington -65°C ~ 150°C (TJ) TO-126 3V @ 1.2mA, 120mA 1mA 1500 @ 120mA, 10V 6MHz
2SB1205T-TL-EX BIP PNP 5A 20V onsemi
FJP3305H1TU TRANS NPN 400V 4A TO220-3 onsemi TO-220-3 4A 400V 75W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-220-3 1V @ 1A, 4A 1µA (ICBO) 8 @ 2A, 5V 4MHz
2SC5707-TL-E TRANS NPN 50V 8A TPFA onsemi TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8A 50V 1W Surface Mount NPN 150°C (TJ) TP-FA 240mV @ 175mA, 3.5A 100nA (ICBO) 200 @ 500mA, 2V 330MHz
BC447 TRANS NPN 80V 0.3A TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body 300mA 80V 625mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92 (TO-226) 250mV @ 10mA, 100mA 100nA (ICBO) 50 @ 2mA, 5V 200MHz
2N5551ZL1 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 600mA 160V 625mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 200mV @ 5mA, 50mA 50nA (ICBO) 80 @ 10mA, 5V 300MHz
PN2222ARLRA SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
NJVTIP32BG BIP T0220 PNP 3A 80V Rochester Electronics, LLC
2SC4518A TRANS NPN 550V 5A TO220F Sanken TO-220-3 Full Pack 5A 550V 35W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-220F 500mV @ 360mA, 1.8A 100µA (ICBO) 10 @ 1.8A, 4V 6MHz
BUV298V TRANS NPN 450V 50A ISOTOP STMicroelectronics ISOTOP 50A 450V 250W Chassis Mount NPN 150°C (TJ) ISOTOP® 1.2V @ 6.4A, 32A 12 @ 32A, 5V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.