Полупроводники, Транзисторы, РЧ транзисторы
- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: RFMD
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: HBSOF-4-1
- Тип корпуса: PG-HBSOF-4-1
- Частота: 869MHz ~ 960MHz
- Номинальное напряжение: 105V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 240W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 22.5dB
- Voltage - Test: 48V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: 4-SMD
- Тип корпуса: SMD
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 13dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.5dB
- Номинальный ток: 15mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Частота: 65MHz
- Номинальное напряжение: 500V
- Выходная мощность: 400W
- Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Source
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 150V
- Номинальный ток: 15A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: HBSOF-6-2
- Тип корпуса: PG-HBSOF-6-2
- Частота: 790MHz ~ 820MHz
- Номинальное напряжение: 105V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 280W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
- Усиление: 15.5dB
- Voltage - Test: 48V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440217
- Тип корпуса: 440217
- Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 500W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 50V
- Номинальный ток: 24A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: SOT-143R
- Тип корпуса: SOT-143R
- Частота: 800MHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 15mA
- Тип транзистора: N-Channel Dual Gate
- Voltage - Test: 5V
- Коэффициент шума: 2dB
- Номинальный ток: 40mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: NI-780S-4
- Тип корпуса: NI-780S-4
- Частота: 2.3GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 280mA
- Выходная мощность: 16W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 14.6dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100
Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.
Справочная информация по основным параметрам:
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) —
Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Power - Max (Мощность - Макс.) —
Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Frequency - Transition (Граничная частота) —
Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Power - Output (Выходная мощность) —
Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) —
V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) —
Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) —
h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.
Transistor Type (Тип транзистора) —
Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.