РЧ транзисторы | Транзисторы

Выводить по:

Найдено: 2995

Наименование	Описание	Производитель	Package / Case	Ток коллектора (макс)	Граничное напряжение КЭ(макс)	Мощность - Макс.	Вид монтажа	Частота	Номинальное напряжение	Номинальный ток	Тип транзистора	Рабочая температура	Тип корпуса	Выходная мощность	Усиление по току (hFE)	Граничная частота	Усиление	Voltage - Test	Current - Test	Noise Figure (dB Typ @ f)
BLF10M6LS135U	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B	Ampleon USA Inc.	SOT-502B					871.5MHz ~ 891.5MHz	65V		LDMOS		SOT502B	26.5W			21dB	28V	950mA
AT-42086-BLKG	RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC	Broadcom Limited	SOT-86	80mA	12V	500mW	Surface Mount				NPN	150°C (TJ)	86 Plastic		30 @ 35mA, 8V	8GHz	9dB ~ 13dB			1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
2SC4093-T1-A	RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT143	CEL	TO-253-4, TO-253AA	100mA	12V	200mW	Surface Mount				NPN	150°C (TJ)	SOT-143		50 @ 20mA, 10V	7GHz	14.2dB			1.1dB @ 1GHz
NE68030-T1-R44-A	RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323	CEL	SC-70, SOT-323	35mA	10V	150mW	Surface Mount				NPN	150°C (TJ)	SOT-323		80 @ 5mA, 3V	10GHz	9.4dB			1.9dB @ 2GHz
NE85639-T1-A	RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143	CEL	TO-253-4, TO-253AA	100mA	12V	200mW	Surface Mount				NPN	150°C (TJ)	SOT-143		50 @ 20mA, 10V	9GHz	13dB			1.1dB @ 1GHz
BF776E6327FTSA1	RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4	Infineon Technologies	SC-82A, SOT-343	50mA	4.7V	200mW	Surface Mount				NPN	150°C (TJ)	PG-SOT343-3D		180 @ 30mA, 3V	46GHz	24dB			0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
VRF141G	RF PWR MOSFET 80V 40A DIE	Microsemi Corporation	SOT-540A					175MHz	80V	40A	N-Channel			300W			14dB	28V	500mA
42108HS	RF POWER TRANSISTOR	Microsemi Corporation
NESG3031M14-T3-A	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	Rochester Electronics, LLC	4-SMD, Flat Leads	35mA	4.3V	150mW	Surface Mount				NPN		4L2MM, M14		220 @ 6mA, 2V		7.5dB ~ 16dB			0.6dB ~ 1.5dB @ 2.4GHz ~ 5.8GHz
MCH6405-TL-E	NCH 2.5V DRIVE SERIES	Rochester Electronics, LLC
IRFAE20	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	Rochester Electronics, LLC
TPIC46L02DBLE	LOW SIDE PRE FET DRIVER	Rochester Electronics, LLC
MSC2295-CT1	TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59	Rochester Electronics, LLC	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	30mA	20V	200mW	Surface Mount				NPN	150°C (TJ)	SC-59		110 @ 1mA, 10V	150MHz
HFA3127R	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	Rochester Electronics, LLC	16-VFQFN Exposed Pad	65mA	12V	150mW	Surface Mount				5 NPN	175°C (TJ)	16-QFN (3x3)		40 @ 10mA, 2V	8GHz				3.5dB @ 1GHz
MCH5835-TL-E	NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES	Rochester Electronics, LLC

Выводить по:

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.

Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.

Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.

Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.

Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — I_c(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.

Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.

Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V_(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение U_{КЭО гр.}. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.

Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h_21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.