РЧ транзисторы | Транзисторы

Выводить по:

Найдено: 2995

Наименование	Описание	Производитель	Package / Case	Ток коллектора (макс)	Граничное напряжение КЭ(макс)	Мощность - Макс.	Вид монтажа	Частота	Номинальное напряжение	Номинальный ток	Тип транзистора	Рабочая температура	Тип корпуса	Выходная мощность	Усиление по току (hFE)	Граничная частота	Усиление	Voltage - Test	Noise Figure (dB Typ @ f)
NE678M04-T2-A	RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F	CEL	SOT-343F	100mA	6V	205mW	Surface Mount				NPN	150°C (TJ)	SOT-343F		75 @ 30mA, 3V	12GHz	13.5dB		1.7dB @ 2GHz
PTFB091802FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Cree/Wolfspeed
KSC1674CYBU	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	Fairchild Semiconductor	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	20mA	20V	250mW	Through Hole				NPN	150°C (TJ)	TO-92-3		120 @ 1mA, 6V	600MHz			3dB ~ 5dB @ 100MHz
BFG135AE6327XT	RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4	Infineon Technologies	TO-261-4, TO-261AA	150mA	15V	1W	Surface Mount				NPN		PG-SOT223-4		80 @ 100mA, 8V	6GHz	9dB ~ 14dB		1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
MRF426	TRANS RF NPN 35V 3A 211-07	MACOM Technology Solutions	211-07	3A	35V	25W	Chassis Mount				NPN		211-07, Style 1		10 @ 1A, 5V		25dB
ARF477FL	RF PWR MOSFET 500V 10A	Microsemi Corporation						65MHz	500V	15A	2 N-Channel (Dual) Common Source			400W			16dB	150V
MS2422	RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M138	Microsemi Corporation	M138	22A	65V	875W	Chassis Mount				NPN	200°C (TJ)	M138		10 @ 1A, 5V	960MHz ~ 1.215GHz	6.3dB
MS2200A	RF POWER TRANSISTOR	Microsemi Corporation
2SC5347AE-TD-E	RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP	onsemi	TO-243AA	150mA	12V	1.3W	Surface Mount				NPN	150°C (TJ)	PCP		90 @ 50mA, 5V	4.7GHz	8dB		1.8dB @ 1GHz
CPH6074-TL-E	TRANSISTOR	onsemi	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	50mA	15V	500mW	Surface Mount				2 PNP (Dual)	150°C (TJ)	6-CPH		60 @ 5mA, 10V	1.2GHz
MPS5179_D75Z	RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3	onsemi	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	50mA	12V	350mW	Through Hole				NPN	-55°C ~ 150°C (TJ)	TO-92-3		25 @ 3mA, 1V	2GHz	15dB		5dB @ 200MHz
QPD1008L	RF TRANSISTOR 125W 50V NI-360	RFMD
BFG10W/X,115	TRANS NPN 10V 250MA SOT343N	Rochester Electronics, LLC	SOT-343 Reverse Pinning	250mA	10V	400mW	Surface Mount				NPN	175°C (TJ)	4-SO		25 @ 50mA, 5V	1.9GHz
BFR93A215	RF BIPOLAR TRANSISTOR	Rochester Electronics, LLC
2SK304E-SPA	NCH J-FET	Rochester Electronics, LLC

Выводить по:

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.

Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.

Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.

Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.

Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — I_c(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.

Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.

Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V_(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение U_{КЭО гр.}. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.

Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h_21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.