• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
  • PH3134-75S
    RF TRANS NPN 65V
    MACOM Technology Solutions
    • Производитель: MACOM Technology Solutions
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 8.9A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
    • Усиление: 7.5dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC1674OBU
    RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 1mA, 6V
    • Граничная частота: 600MHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFR92ALT1
    RF TRANS 15V 4.5GHZ SOT23
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Мощность - Макс.: 273mW
    • Ток коллектора (макс): 25mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 14mA, 10V
    • Граничная частота: 4.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 500MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCH2602-TL-E
    PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC1393OTA
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 2mA, 10V
    • Граничная частота: 700MHz
    • Усиление: 20dB ~ 24dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UPA802T-T1-A
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 7mA, 3V
    • Граничная частота: 7GHz
    • Усиление: 12dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CP617-CM4957-CT20
    RF TRANSISTOR TO-39
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5336-AZ
    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 10V
    • Граничная частота: 6.5GHz
    • Усиление: 12dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ON5040
    ON5040 - RF POWER TRANSISTOR (AM
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AT-32063-BLKG
    RF TRANS 2 NPN 5.5V SOT363
    Broadcom Limited
    • Производитель: Broadcom Limited
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 32mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5.5V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 2.7V
    • Усиление: 12.5dB ~ 14.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NSVF4017SG4T1G
    RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: SC-82FL/MCPH4
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 5V
    • Граничная частота: 10GHz
    • Усиление: 17dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF-517
    RF TRANSISTOR, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFR360L3E6765
    LOW-NOISE SI TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: PG-TSLP-3-1
    • Мощность - Макс.: 210mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 15mA, 3V
    • Граничная частота: 14GHz
    • Усиление: 11.5dB ~ 16dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFG25AW/X,115
    RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
    • Тип корпуса: 4-SO
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 6.5mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500µA, 1V
    • Граничная частота: 5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFS17,215
    RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 25mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 25 @ 2mA, 1V
    • Граничная частота: 1GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.