• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
AT-41532-TR1G RF TRANS NPN 12V SC70-3 Broadcom Limited SC-70, SOT-323 50mA 12V 225mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SC-70-3 30 @ 5mA, 5V 9dB ~ 15.5dB 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
NE68133-T1B-A RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23 CEL TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 65mA 10V 200mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-23-3 50 @ 20mA, 8V 9GHz 13dB 1.2dB @ 1GHz
NE68139R-T1 RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R CEL SOT-143R 65mA 10V 200mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-143R 50 @ 7mA, 3V 9GHz 13.5dB 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
2SC5011-T1-A RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343 CEL SC-82A, SOT-343 100mA 12V 150mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-343 50 @ 20mA, 10V 6.5GHz 13dB 1.1dB @ 1GHz
GTVA261802FC-V1-R2 180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH Cree/Wolfspeed H-37248C-4 2.62GHz ~ 2.69GHz 125V HEMT H-37248C-4 170W 16.8dB 48V 160mA GaN
BFR360FH6327XTSA1 RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 Infineon Technologies SOT-723 35mA 9V 210mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-TSFP-3 90 @ 15mA, 3V 14GHz 15.5dB 1dB @ 1.8GHz
BFR 182T E6327 RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 Infineon Technologies SC-75, SOT-416 35mA 12V 250mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-SC-75 50 @ 10mA, 8V 8GHz 20dB 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
SD1332-05H RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150 Microsemi Corporation M150 30A 15V 180W Surface Mount NPN 200°C M150 50 @ 14mA, 10V 5.5GHz 17dB 2.5dB @ 1GHz
BFU550AR RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB NXP USA Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 50mA 12V 450mW Surface Mount NPN -40°C ~ 150°C (TJ) SOT-23 (TO-236AB) 60 @ 15mA, 8V 11GHz 18dB 0.6dB @ 900MHz Automotive, AEC-Q101
MPS5179RLRPG RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 50mA 12V 200W Through Hole NPN TO-92 (TO-226) 25 @ 3mA, 1V 2GHz
2SC5501A-4-TR-E 2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7 onsemi
HFA3128R96 RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN Renesas Electronics America Inc 16-VFQFN Exposed Pad 65mA 15V 150mW Surface Mount 5 PNP 175°C (TJ) 16-QFN (3x3) 20 @ 10mA, 2V 5.5GHz 3.5dB @ 1GHz
2SC6024-TL-E BIP NPN 35MA 3.5V FT=14G Rochester Electronics, LLC 3-SMD, Flat Lead 35mA 3.5V 120mW Surface Mount NPN 3-SSFP 80 @ 15mA, 3V 14GHz 9dB ~ 10.5dB 1.2dB @ 2GHz
BFG310/XR,215 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC SOT-143R 10mA 6V 60mW Surface Mount NPN 175°C (TJ) SOT-143R 60 @ 5mA, 3V 14GHz 18dB 1dB @ 2GHz
2SK515-T1B-A SMALL SIGNAL FET Rochester Electronics, LLC
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.