• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
AT-41511-BLKG RF TRANS NPN 12V SOT143 Broadcom Limited TO-253-4, TO-253AA 50mA 12V 225mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-143 30 @ 5mA, 5V 11dB ~ 15.5dB 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
NE462M02-AZ RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT90 CEL TO-243AA 150mA 12V 1.8W Surface Mount NPN 150°C (TJ) 50 @ 50mA, 5V 6GHz 10dB 3.5dB @ 1GHz
ZUMTS17NTA RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323 Diodes Incorporated SC-70, SOT-323 50mA 11V 330mW Surface Mount NPN -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-323 56 @ 5mA, 10V 3.2GHz
BFR181WE6327 LOW-NOISE TRANSISTOR Infineon Technologies SC-70, SOT-323 20mA 12V 175mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-323 70 @ 5mA, 8V 8GHz 19dB 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BFP620FH7764XTSA1 RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP Infineon Technologies 4-SMD, Flat Leads 80mA 2.8V 185mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) 4-TSFP 110 @ 50mA, 1.5V 65GHz 21dB ~ 10dB 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
MRF10150 TRANS NPN 150W 1025MHZ-1050MHZ MACOM Technology Solutions 376B-02 14A 65V 150W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 376B-02, Style 1 20 @ 5A, 5V 10dB
90025HS RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
MS2321 RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105 Microsemi Corporation M105 1.5A 65V 87.5W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) M105 1.025GHz ~ 1.15GHz 10dB
VRF191 MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 Microsemi Corporation T11 30MHz 270V 12A N-Channel T11 150W 22dB 100V 250mA
MS2477 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
TPR175 RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX Microsemi Corporation 55CX 9A 55V 290W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55CX 10 @ 20mA, 5V 1.03GHz ~ 1.09GHz 8dB ~ 9dB
MS1649 RF TRANS NPN 16V 470MHZ TO39 Microsemi Corporation TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 1A 16V 7.8W Through Hole NPN 200°C (TJ) TO-39 20 @ 100mA, 5V 470MHz 9.5dB
3MN03SF-TL-E BIP NPN 30MA 20V onsemi 3-SMD, Flat Lead 30mA 20V 150mW Surface Mount NPN 3-SSFP 60 @ 1mA, 6V 320MHz 3dB @ 100MHz
HFA3096B96 RF TRANS NPN/PNP 5.5GHZ 16SOIC Renesas Electronics America Inc 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 65mA 12V, 15V 150mW Surface Mount 3 NPN + 2 PNP 150°C (TJ) 16-SOIC 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V 8GHz, 5.5GHz 3.5dB @ 1GHz
KSC1674OBU RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 20mA 20V 250mW Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-92-3 70 @ 1mA, 6V 600MHz 3dB ~ 5dB @ 100MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.