• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
MZ0912B50Y,114 RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 Ampleon USA Inc. SOT-443A 3A 20V 150W Chassis Mount NPN CDFM2 1.215GHz 8dB
2SC5007-A RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523 CEL SOT-523 65mA 10V 125mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) 80 @ 7mA, 3V 7GHz 12dB 1.4dB @ 1GHz
NE856M02-AZ RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 CEL TO-243AA 100mA 12V 1.2W Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-89 50 @ 20mA, 10V 6.5GHz 12dB 1.1dB @ 1GHz
NE664M04-A RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F CEL SOT-343F 500mA 5V 735mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-343F 40 @ 100mA, 3V 20GHz 12dB
NE85618-T1-A RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343 CEL SC-82A, SOT-343 100mA 12V 150mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-343 50 @ 20mA, 10V 6.5GHz 13dB 1.1dB @ 1GHz
BFP740H6327XTSA1 RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343 Infineon Technologies SC-82A, SOT-343 30mA 4.7V 160mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-SOT343-4-2 160 @ 25mA, 3V 42GHz 27dB 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
BFR 181T E6327 RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 Infineon Technologies SC-75, SOT-416 20mA 12V 175mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-SC-75 50 @ 5mA, 8V 8GHz 19.5dB 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BFG520,235 RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B NXP USA Inc. TO-253-4, TO-253AA 70mA 15V 300mW Surface Mount NPN 175°C (TJ) SOT-143B 60 @ 20mA, 6V 9GHz 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
BFG424F,115 RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ 4SO NXP USA Inc. SOT-343 Reverse Pinning 30mA 4.5V 135mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) 4-SO 50 @ 25mA, 2V 25GHz 23dB 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
2SC5231C9-TL-E 2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA onsemi SC-75, SOT-416 70mA 10V 100mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) 3-SMCP 135 @ 20mA, 5V 7GHz 12dB 1dB @ 1GHz
DSA9G01C0L TRANSISTOR RF PNP SSMINI3 Panasonic Electronic Components
2SC4227-T1-A RF TRANSISTOR FOR HIGH FREQUENCY Renesas Electronics America Inc SC-70, SOT-323 65mA 10V 150mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-323 40 @ 7mA, 3V 7GHz 12dB 1.4dB @ 1GHz
BFP740E6327 RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Rochester Electronics, LLC SC-82A, SOT-343 30mA 4.7V 160mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-SOT343-4 160 @ 25mA, 3V 42GHz 27dB 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
CPH3417-TL-E NCH 1.8V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
SD1405 RF TRANS NPN 18V M174 STMicroelectronics M174 20A 18V 270W Surface Mount NPN 200°C (TJ) M174 20 @ 5A, 5V 13dB
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.