• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
  • MS1226
    RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: M113
    • Тип корпуса: M113
    • Мощность - Макс.: 80W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 4.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 36V
    • Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
    • Граничная частота: 30MHz
    • Усиление: 18dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AT-42085G
    RF TRANS NPN 12V 8GHZ 85 PLASTIC
    Broadcom Limited
    • Производитель: Broadcom Limited
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD (85 Plastic)
    • Тип корпуса: 85 Plastic
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 35mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 9.5dB ~ 13.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF1102,115
    FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: 6-TSSOP
    • Частота: 800MHz
    • Номинальное напряжение: 7V
    • Current - Test: 15mA
    • Тип транзистора: N-Channel Dual Gate
    • Voltage - Test: 5V
    • Коэффициент шума: 2dB
    • Номинальный ток: 40mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLF6G22-45,135
    RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-608A
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 405mA
    • Выходная мощность: 2.5W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N5770_D74Z
    RF TRANS NPN 15V TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 8mA, 10V
    • Усиление: 15dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UTV005
    RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: 55FT
    • Тип корпуса: 55FT
    • Мощность - Макс.: 8W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 750mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 24V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 100mA, 5V
    • Граничная частота: 470MHz ~ 860MHz
    • Усиление: 11dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 3SK255-T2-A
    RF SMALL SIGNAL TRANS
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5010-T1-A
    RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-523
    • Тип корпуса: SOT-523
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
    • Усиление по току (hFE): 75 @ 10mA, 3V
    • Граничная частота: 12GHz
    • Усиление: 8.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC2756YMTF
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 10V
    • Граничная частота: 850MHz
    • Усиление: 15dB ~ 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N2857
    RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/343
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-72-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-72
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 40mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 3mA, 1V
    • Граничная частота: 500MHz
    • Усиление: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTD4809NT4H
    NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 3LP03SS-TL-E
    PCH 1.5V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFR 949L3 E6327
    RF TRANS NPN 10V 9GHZ TSLP-3-1
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: PG-TSLP-3-1
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 6V
    • Граничная частота: 9GHz
    • Усиление: 21.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFP620E7764
    RF BIPOLAR TRANSISTOR
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-4
    • Мощность - Макс.: 185mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 2.8V
    • Усиление по току (hFE): 110 @ 50mA, 1.5V
    • Граничная частота: 65GHz
    • Усиление: 21.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MDS140L
    RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55AW
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: 55AW
    • Тип корпуса: 55AW
    • Мощность - Макс.: 500W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
    • Граничная частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
    • Усиление: 9.5dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.