• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
NE856M02-T1-AZ RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 CEL TO-243AA 100mA 12V 1.2W Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-89 50 @ 20mA, 10V 6.5GHz 12dB 1.1dB @ 1GHz
NE58219-T1-A TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI CEL SC-75, SOT-416 60mA 12V 100mW Surface Mount NPN 3-SuperMiniMold (19) 60 @ 5mA, 5V 5GHz
BFS 17P E8211 RF TRANS NPN SOT23-3 Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 25mA 15V 280mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-SOT23 40 @ 2mA, 1V 1.4GHz 3.5dB @ 800MHz
BFP196WH6740 RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Infineon Technologies
BFR193WH6327XTSA1 RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Infineon Technologies SC-70, SOT-323 80mA 12V 580mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-SOT323 70 @ 30mA, 8V 8GHz 10.5dB ~ 16dB 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BFR193L3E6327XTMA1 RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1 Infineon Technologies SC-101, SOT-883 80mA 12V 580mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-TSLP-3-1 70 @ 30mA, 8V 8GHz 12.5dB ~ 19dB 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
SD1400-03 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
ARF466BG RF FET N CH 1000V 13A TO264 Microsemi Corporation TO-264-3, TO-264AA 40.68MHz 1000V 13A N-Channel TO-264 150W 16dB 150V
MC1331-3 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
75102 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
BFR93A215 RF BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.
MPSH81 RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 50mA 20V 350mW Through Hole PNP -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 60 @ 5mA, 10V 600MHz
MMBTH10-4LT1G RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 25V 225mW Surface Mount NPN -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 (TO-236) 120 @ 4mA, 10V 800MHz
BFP169WH6740 SI- AND SIGE:C-TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
2SA1778-3-TB-E PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Sanyo TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 50mA 15V 250mW Surface Mount PNP 3-CP 60 @ 5mA, 10V 1.2GHz 13dB 2.5dB @ 400MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.