• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
  • MRF8372G
    RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Мощность - Макс.: 2.2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 50mA, 5V
    • Граничная частота: 870MHz
    • Усиление: 8dB ~ 9.5dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PRF957,115
    RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 270mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 6V
    • Граничная частота: 8.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1214-32L
    RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: 55AW-1
    • Тип корпуса: 55AW-1
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
    • Граничная частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
    • Усиление: 7.8dB ~ 8.9dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC4227-A
    RF TRANS NPN 10V 7GHZ SC70
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 7mA, 3V
    • Граничная частота: 7GHz
    • Усиление: 12dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF799WH6327XTSA1
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323-3
    • Мощность - Макс.: 280mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 20mA, 10V
    • Граничная частота: 800MHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5752-T1-A
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: SOT-343
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
    • Усиление по току (hFE): 75 @ 30mA, 3V
    • Граничная частота: 12GHz
    • Усиление: 13dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CG2H80015D-GP4
    RF DISCRETE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGHV40200PP
    RF MOSFET HEMT 440199
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: 440199
    • Тип корпуса: 440199
    • Частота: 3GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Выходная мощность: 218W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 20.1dB
    • Номинальный ток: 18.7A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC2620QBTR-E
    RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 15GN03MA-TL-E
    RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: 3-MCP
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
    • Граничная частота: 1.5GHz
    • Усиление: 13dB @ 0.4GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UPA901TU-T3-A
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-MINIMOLD
    • Мощность - Макс.: 410mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 75mA, 250mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 6mA, 3V / 80 @ 20mA, 3V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2324-20
    RF TRANS 40V 2.4GHZ 55AW
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 200°C
    • Package / Case: 55AW
    • Тип корпуса: 55AW
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Ток коллектора (макс): 3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 10 @ 160mA, 5V
    • Граничная частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
    • Усиление: 7dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SD1433
    RF TRANS NPN 16V M122
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: M122
    • Тип корпуса: M122
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 2.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
    • Усиление по току (hFE): 10 @ 1A, 5V
    • Усиление: 7dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFU610F,115
    RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-343F
    • Тип корпуса: 4-DFP
    • Мощность - Макс.: 136mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5.5V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 1mA, 2V
    • Граничная частота: 15GHz
    • Усиление: 13.5dB ~ 23.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFR750L3RHE6327
    RF BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: PG-TSLP-3
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 90mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 60mA, 3V
    • Граничная частота: 37GHz
    • Усиление: 21dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.