Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Diodes Incorporated

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2429
  • DMC2025UFDBQ-7
    MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type B)
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel Complementary
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 700mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN60H080DS-13
    MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXMN10A25GTA
    MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 859pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN3013LFG-13
    MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerLDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (Type D)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 15A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2.16W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZVP1320ASTOA
    MOSFET P-CH 200V 0.07A TO92-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: E-Line-3
    • Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 70mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 625mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMTH8012LK3Q-13
    MOSFET NCH 80V 50A TO252
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2051pF @ 40V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.6W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS8402DW-7-F
    MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V, 50V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 200mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN3033LSNQ-7
    MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.4W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZVP4424A
    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 240V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 750mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN4031SSDQ-13
    MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 945pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 1.42W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMP2240UW-7
    MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 16V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXMP6A17DN8QTC
    MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V
    • Мощность - Макс.: 1.25W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS84DWQ-7
    BSS FAMILY SOT363 T&R 3K
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 300mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN6022SSS-13
    MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMT12H007LPS-13
    MOSFET 101V~250V POWERDI5060-8
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI5060-8
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 120V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3224pF @ 60V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.9W
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100