- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type F)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4nC @ 8V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 995pF @ 6V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 700mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.9W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 310mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 18V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 625mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-563
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 250mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: PowerDI3333-8
- Тип канала: N-Channel
- FET Feature: Schottky Diode (Body)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.2A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 44.6nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1886pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 980mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerTDFN
- Тип корпуса: PowerDI5060-8 (Type K)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14023pF @ 20V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.09W (Ta), 187.5W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 740mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-PowerUDFN
- Тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type E)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 660mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 339pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 940mW
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: E-Line-3
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 1mA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 625mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type B)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
- Тип корпуса: 8-MSOP
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100