• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
• Тип корпуса: SOT-223
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Тип канала: N and P-Channel
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
• Мощность - Макс.: 1.25W

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: PowerDI3333-8
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1931pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 950mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±25V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 3-XFDFN
• Тип корпуса: X2-DFN0806-3
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±8V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: PowerDI3333-8
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 30A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2075pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 900mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-963
• Тип корпуса: SOT-963
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 16V
• Мощность - Макс.: 350mW

• Производитель: Diodes Incorporated

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2747pF @ 20V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип корпуса: TSOT-26
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.2W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 700mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Тип канала: N and P-Channel Complementary
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 8A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 1.6W

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
• Тип корпуса: U-WLB1010-4
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 218pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.4W
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): -6V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: PowerDI3333-8
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Schottky Diode (Body)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 31.6nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4310pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 890mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: PowerDI3333-8 (Type UXC)
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25.3 (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: SOT-323
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
• Напряжение затвора (макс): ±20V