• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type F)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 660mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±8V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип корпуса: TSOT-26
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 630mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
• Мощность - Макс.: 820mW

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-963
• Тип корпуса: SOT-963
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 100mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 27.44pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 330mW

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SOT-363
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 230mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 320mW

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип корпуса: TSOT-23-6
• Тип канала: N and P-Channel
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 25V, 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 400mA, 3.2A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 1.2W

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 464pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.4W
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±12V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Тип канала: N and P-Channel
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 1.2W

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 3-XDFN
• Тип корпуса: 3-DFN1411 (1.4x1.1)
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 16V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 500mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±12V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: PowerDI3333-8
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±10V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-963
• Тип корпуса: SOT-963
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 240mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 300mW

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerTDFN
• Тип корпуса: PowerDI5060-8
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3944pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 100W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Schottky Diode (Body)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.8A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1849pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.54W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±12V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2596pF @ 30V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 210W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): -20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerLDFN
• Тип корпуса: PowerDI3333-8 (Type D)
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 15A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 2.16W (Ta)

• Производитель: Diodes Incorporated