• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2429
  • DMN7022LFG-13
    MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2737pF @ 35V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 900mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMTH6004SPS-13
    MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: PowerDI5060-8
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4556pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN3061SVT-7
    MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: TSOT-23-6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.08W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN3018SSS-13
    MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 697pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.4W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMTH6004SCTB-13
    MOSFET N-CH 60V TO-263
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4556pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN601DMK-7
    MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: SOT-26
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 510mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 304nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 700mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN53D0L-13
    MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 370mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMTH6012LPSW-13
    MOSFET 41V~60V POWERDI5060-8/SWP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: PowerDI5060-8 (Type Q)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN3009LFV-13
    MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMP3036SFV-13
    MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1931pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.3W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN2230UQ-13
    MOSFET NCH 20V 2A SOT23
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 188pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 600mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN2041LSD-13
    MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.63A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.16W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMT2004UFV-7
    MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (Type UX)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 24V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1683pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN2027UPS-13
    MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: PowerDI5060-8
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1091pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMT3006LFV-13
    MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100