• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2429
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
DMN3012LFG-7 MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333 Diodes Incorporated PowerDI3333-8 2.2W Surface Mount 8-PowerLDFN -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) Standard 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
DMPH6050SFGQ-13 MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8 Diodes Incorporated PowerDI3333-8 Surface Mount 8-PowerVDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) P-Channel 1.2W (Ta) 60V 6.1A (Ta), 18A (Tc) 50mOhm @ 7A, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 24.1nC @ 10V 1293pF @ 30V ±20V Automotive, AEC-Q101
2N7002DW-7-F-79 MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Diodes Incorporated
ZVN4210GTC MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 Diodes Incorporated SOT-223 Surface Mount TO-261-4, TO-261AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 2W (Ta) 100V 800mA (Ta) 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 5V, 10V 2.4V @ 1mA 100pF @ 25V ±20V
DMP3010LPS-13 MOSFET P-CH 30V 14.5A POWERDI Diodes Incorporated PowerDI5060-8 Surface Mount 8-PowerTDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 2.18W (Ta) 30V 14.5A (Ta) 7.5mOhm @ 10A, 10V 4.5V, 10V 2.1V @ 250µA 126.2nC @ 10V 6234pF @ 15V ±20V
DMN2024UFDF-7 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 Diodes Incorporated U-DFN2020-6 (Type F) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 960mW (Ta) 20V 7.1A (Ta) 22mOhm @ 4A, 4.5V 1.5V, 4.5V 1V @ 250µA 0.9nC @ 10V 647pF @ 10V ±10V
DMP2075UVT-7 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Diodes Incorporated TSOT-26 Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 1.2W (Ta) 20V 3.8A (Ta) 75mOhm @ 4A, 4.5V 2.5V, 4.5V 1V @ 250µA 8.8nC @ 4.5V 642pF @ 10V ±8V
DMN6075S-13 MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Diodes Incorporated SOT-23 Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 800mW (Ta) 60V 2A (Ta) 85mOhm @ 3.2A, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 12.3nC @ 10V 606pF @ 20V ±20V
ZXM64P03XTA MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP Diodes Incorporated 8-MSOP Surface Mount 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 1.1W (Ta) 30V 3.8A (Ta) 75mOhm @ 2.4A, 10V 4.5V, 10V 1V @ 250µA 46nC @ 10V 825pF @ 25V ±20V
ZXMP6A17E6TA MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 Diodes Incorporated SOT-26 Surface Mount SOT-23-6 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 1.1W (Ta) 60V 2.3A (Ta) 125mOhm @ 2.3A, 10V 4.5V, 10V 1V @ 250µA 17.7nC @ 10V 637pF @ 30V ±20V
DMT10H009LH3 MOSFET BVDSS: 61V-100V TO251 Diodes Incorporated TO-251 Through Hole TO-251-3 Stub Leads, IPak MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 96W (Tc) 100V 84A (Tc) 9mOhm @ 20A, 10V 4.5V, 10V 2.5V @ 250µA 20.2nC @ 4.5V 2309pF @ 50V ±20V
ZXMN2069FTA MOSFET N-CH SOT23-3 Diodes Incorporated SOT-23-3 Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Metal Oxide) N-Channel
DMT4008LSS-13 MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 Diodes Incorporated 8-SO Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1.32W (Ta) 40V 12.8A (Ta) 8.5mOhm @ 12A, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 18.6nC @ 10V 1143pF @ 20V ±20V
DMP3165SVT-13 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 Diodes Incorporated
DMC1030UFDBQ-7 MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 Diodes Incorporated U-DFN2020-6 (Type B) 1.36W Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel Complementary 12V 5.1A Standard 34mOhm @ 4.6A, 4.5V 1V @ 250µA 23.1nC @ 10V 1003pF @ 6V Automotive, AEC-Q101
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100