• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerLDFN
• Тип корпуса: PowerDI3333-8
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 2.2W

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: PowerDI3333-8
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.2W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
• Тип корпуса: SOT-223
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerTDFN
• Тип корпуса: PowerDI5060-8
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6234pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.18W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type F)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 960mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±10V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип корпуса: TSOT-26
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.2W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±8V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 606pF @ 20V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 800mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
• Тип корпуса: 8-MSOP
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.1W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6
• Тип корпуса: SOT-26
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.1W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
• Тип корпуса: TO-251
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2309pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 96W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 20V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.32W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type B)
• Тип канала: N and P-Channel Complementary
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.1A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V
• Мощность - Макс.: 1.36W