• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOP
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2748pF @ 20V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: E-Line-3
• Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 850mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SOT-363
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
• Мощность - Макс.: 320mW (Ta)

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 3-UFDFN
• Тип корпуса: 3-X1DFN1006
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 8V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 430mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±8V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип корпуса: TSOT-26
• Тип канала: N and P-Channel Complementary
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 700mW (Ta)

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 42W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SC-59
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 610mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип корпуса: TSOT-26
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±25V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 300mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: PowerDI3333-8 (Type UX)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 823pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.3W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: PowerDI3333-8
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.2A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 945pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 1.42W

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-SMD, No Lead
• Тип корпуса: X2-DFN0806-6
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 350pC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 16V
• Мощность - Макс.: 310mW (Ta)