• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2429
  • DMN61D8L-7
    MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 390mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN2040LSD-13
    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 562pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZVN0540ASTZ
    MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: E-Line-3
    • Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 700mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMP6350S-13
    MOSFET PCH 60V 1.5A SOT23
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 900mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 206pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 720mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZVN2110A
    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 700mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN10H120SE-13
    MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 549pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.3W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN3025LFDF-13
    MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type F)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXMN3A02X8TC
    MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-MSOP
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMP4025SFG-7
    MOSFET P-CH 40V 4.65A POWERDI
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.65A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1643pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 810mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXMP3A17DN8TA
    MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.28nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN2015UFDF-7
    MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: U-DFN2020-6
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN3016LDV-7
    MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZVNL120A
    MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 700mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMT10H015LSS-13
    MOSFET N-CH 100V 8.3A
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMN61D9UW-7
    MOSFET N-CH 60V 0.34A
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 320mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100