• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
  • BFG310/XR,215
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-143R
    • Тип корпуса: SOT-143R
    • Мощность - Макс.: 60mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 3V
    • Граничная частота: 14GHz
    • Усиление: 18dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GTVA261802FC-V1-R2
    180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: H-37248C-4
    • Тип корпуса: H-37248C-4
    • Частота: 2.62GHz ~ 2.69GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 160mA
    • Выходная мощность: 170W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 16.8dB
    • Voltage - Test: 48V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE68139R-T1
    RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-143R
    • Тип корпуса: SOT-143R
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 7mA, 3V
    • Граничная частота: 9GHz
    • Усиление: 13.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5011-T1-A
    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: SOT-343
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 10V
    • Граничная частота: 6.5GHz
    • Усиление: 13dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFR 182T E6327
    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: PG-SC-75
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 20dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC6024-TL-E
    BIP NPN 35MA 3.5V FT=14G
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 3-SSFP
    • Мощность - Макс.: 120mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 15mA, 3V
    • Граничная частота: 14GHz
    • Усиление: 9dB ~ 10.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HFA3128R96
    RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 PNP
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 5.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE68133-T1B-A
    RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 8V
    • Граничная частота: 9GHz
    • Усиление: 13dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SD1332-05H
    RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 200°C
    • Package / Case: M150
    • Тип корпуса: M150
    • Мощность - Макс.: 180W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 14mA, 10V
    • Граничная частота: 5.5GHz
    • Усиление: 17dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5501A-4-TR-E
    2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK515-T1B-A
    SMALL SIGNAL FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFR360FH6327XTSA1
    RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: PG-TSFP-3
    • Мощность - Макс.: 210mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 15mA, 3V
    • Граничная частота: 14GHz
    • Усиление: 15.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFU550AR
    RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 15mA, 8V
    • Граничная частота: 11GHz
    • Усиление: 18dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AT-41532-TR1G
    RF TRANS NPN 12V SC70-3
    Broadcom Limited
    • Производитель: Broadcom Limited
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70-3
    • Мощность - Макс.: 225mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
    • Усиление: 9dB ~ 15.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MPS5179RLRPG
    RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
    • Мощность - Макс.: 200W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 25 @ 3mA, 1V
    • Граничная частота: 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.