Полупроводники, Транзисторы, РЧ транзисторы Toshiba Semiconductor and Storage

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 44

2SK3078A(TE12L,F)

FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: PW-MINI
- Частота: 470MHz
- Номинальное напряжение: 10V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 28dbm
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 8dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Номинальный ток: 500mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC5088-O(TE85L,F)

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USQ

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: USQ
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 18dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC5087YTE85LF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-61AA
- Тип корпуса: SMQ
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 13dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC5087R(TE85L,F)

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-61AA
- Тип корпуса: SMQ
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 8GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC5085-Y(TE85L,F)

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 11dB ~ 16.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC4215-Y(TE85L,F)

RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 6V
- Граничная частота: 550MHz
- Усиление: 17dB ~ 23dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC5065-Y(TE85L,F)

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 5V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 12dB ~ 17dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SK3079ATE12LQ

MOSF RF N CH 10V PW-X

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-271AA
- Тип корпуса: PW-X
- Частота: 470MHz
- Номинальное напряжение: 10V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 33.5dBmW
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Номинальный ток: 3A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SK3074TE12LF

MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SC-62
- Частота: 520MHz
- Номинальное напряжение: 30V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 630mW
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 14.9dB
- Voltage - Test: 9.6V
- Номинальный ток: 1A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RFM08U9X(TE12L,Q)

MOSFET N-CH PW-X

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-271AA
- Тип корпуса: PW-X
- Частота: 520MHz
- Номинальное напряжение: 36V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 7.5W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 11.7dB
- Voltage - Test: 9.6V
- Номинальный ток: 5A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SK209-GR(TE85L,F)

JFET N-CH SOT23

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SC-59
- Частота: 1kHz
- Current - Test: 500µA
- Тип транзистора: N-Channel JFET
- Voltage - Test: 10V
- Коэффициент шума: 1dB
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SK3476(TE12L,Q)

MOSF RF N CH 20V 3A PW-X

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-271AA
- Тип корпуса: PW-X
- Частота: 520MHz
- Номинальное напряжение: 20V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 7W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 11.4dB
- Voltage - Test: 7.2V
- Номинальный ток: 3A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SK3075(TE12L,Q)

MOSF RF N CH 30V 5A PW-X

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-271AA
- Тип корпуса: PW-X
- Частота: 520MHz
- Номинальное напряжение: 30V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 7.5W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 11.7dB
- Voltage - Test: 9.6V
- Номинальный ток: 5A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SK209-BL(TE85L,F)

JFET N-CH SOT23

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SC-59
- Частота: 1kHz
- Current - Test: 500µA
- Тип транзистора: N-Channel JFET
- Voltage - Test: 10V
- Коэффициент шума: 1dB
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SK209-Y(TE85L,F)

JFET N-CH SOT23

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SC-59
- Частота: 1kHz
- Current - Test: 500µA
- Тип транзистора: N-Channel JFET
- Voltage - Test: 10V
- Коэффициент шума: 1dB
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: