- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: USQ
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 18dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-61AA
- Тип корпуса: SMQ
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 13dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-61AA
- Тип корпуса: SMQ
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 8GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 11dB ~ 16.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 6V
- Граничная частота: 550MHz
- Усиление: 17dB ~ 23dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 5V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 12dB ~ 17dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 5V
- Граничная частота: 7GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-61AA
- Тип корпуса: SMQ
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 7GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 1mA, 6V
- Граничная частота: 550MHz
- Усиление: 17dB ~ 23dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 6V
- Граничная частота: 550MHz
- Усиление: 23dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 11dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: PW-MINI
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 30mA, 5V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 10.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SC-62
- Частота: 520MHz
- Номинальное напряжение: 30V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 630mW
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 14.9dB
- Voltage - Test: 9.6V
- Номинальный ток: 1A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: UFM
- Мощность - Макс.: 800mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 30mA, 5V
- Граничная частота: 10GHz
- Усиление: 12.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: US6
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 11.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100