Полупроводники, Транзисторы, РЧ транзисторы NXP USA Inc.

Найдено: 201
  • RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
    • Тип корпуса: 4-SO
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 6.5mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500µA, 1V
    • Граничная частота: 5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 25mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 25 @ 2mA, 1V
    • Граничная частота: 1GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143B
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 20mA, 6V
    • Граничная частота: 9GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ 4SO
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
    • Тип корпуса: 4-SO
    • Мощность - Макс.: 135mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 2V
    • Граничная частота: 25GHz
    • Усиление: 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SRF9030NR1
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-502B
    • Тип корпуса: SOT502B
    • Частота: 871.5MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.4A
    • Выходная мощность: 40W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 20.2dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 49A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2700-3500 MHZ 60 W PEAK 50V WI
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AA
    • Тип корпуса: OM-270-2
    • Частота: 2.7GHz ~ 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 70mA
    • Выходная мощность: 60W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC LDMOS TRANS 120V NI-780S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF24301HS-2450
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC RF SWITCH SOT143R
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-143R
    • Тип корпуса: SOT-143R
    • Номинальное напряжение: 3V
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Номинальный ток: 10mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-400S-2S
    • Тип корпуса: NI-400S-2S
    • Частота: 1.8GHz ~ 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 48V
    • Выходная мощность: 32W
    • Тип транзистора: HEMT
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-502B
    • Тип корпуса: SOT502B
    • Частота: 871.5MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.4A
    • Выходная мощность: 40W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 20.2dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 49A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF7S24250N-3STG
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: