Полупроводники, Транзисторы, РЧ транзисторы NXP Semiconductors
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: NXP Semiconductors
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-343F
- Тип корпуса: 4-DFP
- Мощность - Макс.: 220mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 70mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 2.8V
- Усиление по току (hFE): 155 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 110GHz
- Усиление: 13.1dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP Semiconductors
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 450mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 15mA, 8V
- Граничная частота: 11GHz
- Усиление: 18dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP Semiconductors
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 450mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 15mA, 8V
- Граничная частота: 11GHz
- Усиление: 18dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100