Полупроводники, Транзисторы, РЧ транзисторы STMicroelectronics

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M174
• Тип корпуса: M174
• Мощность - Макс.: 270W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 20A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 5V
• Усиление: 13dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M122
• Тип корпуса: M122
• Мощность - Макс.: 58W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 2.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 1A, 5V
• Усиление: 7dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-82A, SOT-343
• Мощность - Макс.: 45mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
• Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 4V
• Усиление: 19dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M135
• Тип корпуса: M135
• Мощность - Макс.: 70W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 250mA, 5V
• Усиление: 10dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M177
• Тип корпуса: M177
• Мощность - Макс.: 330W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 40A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
• Усиление по току (hFE): 23 @ 10A, 6V
• Усиление: 15dB ~ 17dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M174
• Тип корпуса: M174
• Мощность - Макс.: 318W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 20A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
• Усиление по току (hFE): 18 @ 1.4A, 6V
• Усиление: 14dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: M113
• Тип корпуса: M113
• Мощность - Макс.: 70W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 250mA, 5V
• Усиление: 10dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M164
• Тип корпуса: M164
• Мощность - Макс.: 233W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
• Усиление по току (hFE): 18 @ 1.4A, 6V
• Усиление: 14dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M113
• Тип корпуса: M113
• Мощность - Макс.: 183W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 5V
• Усиление: 10dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M111
• Тип корпуса: M111
• Мощность - Макс.: 117W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
• Усиление: 5.8dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M111
• Тип корпуса: M111
• Мощность - Макс.: 270W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 20A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 5V
• Усиление: 6dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89
• Мощность - Макс.: 1.7W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
• Усиление по току (hFE): 150 @ 160mA, 3V
• Усиление: 13dB ~ 14dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M135
• Тип корпуса: M135
• Мощность - Макс.: 70W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 250mA, 5V
• Усиление: 9dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M174
• Тип корпуса: M174
• Мощность - Макс.: 233W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 20A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 10A, 6V
• Усиление: 13dB

• Производитель: STMicroelectronics
• Package / Case: M246
• Тип корпуса: M246
• Частота: 860MHz
• Номинальное напряжение: 72V
• Current - Test: 400mA
• Выходная мощность: 100W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 16dB
• Voltage - Test: 28V
• Номинальный ток: 14A