Полупроводники, Транзисторы, РЧ транзисторы Harris Corporation

Найдено: 5
  • ULTRA HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 3 NPN + 2 PNP
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 8V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz, 5.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HIGH FREQUENCIES NPN TRANSISTOR
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 14-SOIC
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Граничная частота: 3GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 0.037A, 5-ELEMENT, ULTRA HIGH
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DUAL MARKED (5962-9474901MEA)
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 16-CERDIP
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: