Полупроводники, Транзисторы, РЧ транзисторы Renesas Electronics America Inc
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 7mA, 3V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: SOT-143
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 6V
- Граничная частота: 10GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 3 NPN + 2 PNP
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V, 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 8GHz, 5.5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 7mA, 3V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 5 PNP
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 5.5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: SOT-343
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 30mA, 3V
- Граничная частота: 12GHz
- Усиление: 13dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-MINIMOLD
- Мощность - Макс.: 410mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 75mA, 250mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 6mA, 3V / 80 @ 20mA, 3V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT23-3 (TO-236)
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 8V
- Граничная частота: 9GHz
- Усиление: 13dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-523
- Тип корпуса: SOT-523
- Мощность - Макс.: 115mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 3.3V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 2V
- Граничная частота: 21GHz
- Усиление: 14dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 5 NPN
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 8GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: M16, 1208
- Мощность - Макс.: 175mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 130 @ 5mA, 2V
- Граничная частота: 25GHz
- Усиление: 10dB ~ 18dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 5 PNP
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 5.5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
- Ток коллектора (макс): 26mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 7GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 250mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 10V
- Усиление: 7.2dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100