• Производитель
  • Частота
Найдено: 71
  • RF 0.1A, 2-ELEMENT, S BAND, NPN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 7mA, 3V
    • Граничная частота: 4.5GHz
    • Усиление: 9dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: SOT-343
    • Мощность - Макс.: 190mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 3.3V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 15GHz
    • Усиление: 14dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 14-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: SOT-343
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
    • Усиление по току (hFE): 75 @ 20mA, 3V
    • Граничная частота: 15GHz
    • Усиление: 15dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
    • Усиление по току (hFE): 75 @ 20mA, 3V
    • Граничная частота: 14.5GHz
    • Усиление: 12dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 14-SOIC
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 6 NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 3V
    • Граничная частота: 10GHz
    • Усиление: 12.4dB ~ 17.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 PNP
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 5.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 4L2MM, M14
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.3V
    • Усиление по току (hFE): 220 @ 6mA, 2V
    • Усиление: 7.5dB ~ 16dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.5dB @ 2.4GHz ~ 5.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 0.15A, ULTRA HIGH FREQ BAND
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89
    • Мощность - Макс.: 1.8W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 5V
    • Граничная частота: 6GHz
    • Усиление: 8.3dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-523
    • Тип корпуса: SOT-523
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 3V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 7.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 PNP
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 5.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN/PNP 5D.5GHZ 16SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 3 NPN + 2 PNP
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V, 15V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz, 5.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5455 - MD
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
    • Усиление по току (hFE): 75 @ 30mA, 3V
    • Граничная частота: 12GHz
    • Усиление: 10dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: