Полупроводники, Транзисторы, РЧ транзисторы NTE Electronics, Inc

Найдено: 6
  • T-JFET N CHANNEL
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Частота: 400MHz
    • Номинальное напряжение: 25V
    • Current - Test: 4mA
    • Тип транзистора: N-Channel JFET
    • Voltage - Test: 15V
    • Коэффициент шума: 4dB
    • Номинальный ток: 30mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • T-JFET N CHANNEL
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Номинальное напряжение: 25V
    • Тип транзистора: N-Channel JFET
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 15V
    • Коэффициент шума: 2.5dB
    • Номинальный ток: 10mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • T- JFET N CHANNEL
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Номинальное напряжение: 25V
    • Тип транзистора: N-Channel JFET
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • T-NPN SI- VHF OSC
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 4mA, 10V
    • Граничная частота: 650MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • T-NPN SI- VHF OSC/MXR
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 25 @ 5mA, 10V
    • Граничная частота: 800MHz
    • Усиление: 24dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • T-NPN SI- VHF
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 225mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 3mA, 1V
    • Граничная частота: 600MHz
    • Усиление: 15dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: