Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology

• Производитель: Microchip Technology
• Package / Case: T2
• Тип корпуса: T2
• Частота: 80MHz
• Номинальное напряжение: 170V
• Current - Test: 800mA
• Выходная мощность: 600W
• Тип транзистора: N-Channel
• Усиление: 17dB
• Voltage - Test: 50V
• Номинальный ток: 4mA

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Тип корпуса: D3Pak
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 166A
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• FET Feature: Depletion Mode
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 740mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerTDFN
• Тип корпуса: 8-PDFN (5x6)
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.2W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): +10V, -8V

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Super Junction
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 49A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 250W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 46A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 357W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SC-70-6
• Тип полевого транзистора: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 6V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 100mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 270mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): -6V

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 694W

• Производитель: Microchip Technology
• Package / Case: T-1
• Тип корпуса: T-1
• Частота: 40.7MHz
• Номинальное напряжение: 1000V
• Выходная мощность: 750W
• Тип транзистора: N-Channel
• Усиление: 15dB
• Voltage - Test: 400V
• Номинальный ток: 8A

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP3
• Тип корпуса: SP3
• Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 277W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 740mW (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: SymFET™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
• Тип корпуса: SOT-143
• Тип полевого транзистора: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 6V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 100mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 5.5V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 568mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): -6V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: SP6C
• Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 80A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 928nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 1378W (Tc)

• Производитель: Microchip Technology
• Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
• Тип корпуса: TO-264
• Частота: 40.68MHz
• Номинальное напряжение: 1000V
• Выходная мощность: 300W
• Тип транзистора: N-Channel
• Усиление: 16dB
• Voltage - Test: 150V
• Номинальный ток: 13A

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerTDFN
• Тип корпуса: 8-PDFN (3x3)
• Тип полевого транзистора: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 12.5V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): +10V, -8V